On Thursday 5th of December at 13h30 Jayshankar NATH , will defend his thesis entitled :
Mechanism of Spin-Orbit Torques in Platinum Oxide Systems (Mécanisme des Couples Spin-Orbite dans les Systèmes à l’Oxyde de Platine)
Place : CEA 17 rue des Martyrs, bat 1005 room 445 (persons who do not have a CEA badge must request an entry authorization sufficiently in advance, before November 25th at sabrina.megias@cea.fr,celine.conche@cea.fr
Abstract :
The current trends of Big Data, AI and 5G have been enabled by technological advancements in high performance computing and memory systems.
Traditionally these memory systems have relied on silicon based electronics. However, magnetic systems such as the Magnetic Random-Access Memory (MRAM) have shown promising results in key metrics.
One such system is the Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM) which could enable faster and instant-ON computing with a reduced energy consumption.
SOT-MRAMs operate by applying a charge current through a metal layer such as platinum. Oxidation of this metallic layer has been proposed as a method to increase the energy efficiency of this system. Here we study the physical mechanisms behind this effect.
A complete understanding of this effect is of significance in the implementation of SOT-MRAMs.
Résumé :
Le développement des Big Data, AI et 5G a été rendu possible par les progrès technologiques des systèmes de calcul et des mémoires haute performance.
Par comparaison à la technologie silicium, les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) ont donné des résultats prometteurs sur des indicateurs clé.
L’un de ces systèmes, la Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM), pourrait permettre un calcul plus rapide à consommation moindre.
Les SOT-MRAMs fonctionnent en injectant un courant de charge dans une couche métallique comme le platine. L’oxydation de cette couche métallique a été proposée comme méthode pour augmenter l’efficacité de ces SOT-MRAM. Nous étudions ici les mécanismes physiques mis en jeu.
Une compréhension complète de cet effet est importante pour l’intégration des SOT-MRAM.
